其它产品
OM2+/OM3/OM4 弯曲不敏感多模光纤
Description
特性
● 为850nm VCSELs优化设计
● 与现有OM2+/OM3/OM4多模光纤兼容
● 优越的几何一致性
● 低衰减
● 高带宽
● 低差分模时延（DMD）
● 很是低的宏弯敏感性
● 接纳大宝娱乐专有双层紫外光固化丙烯酸酯涂层
优势和应用
● 数据中心
● 数据存储网络
● 高性能盘算中心
● 办公中心
● 局域网
● 1 & 10 & 40 & 100 & 400 Gb/s以太网
● 支持在小弯曲半径下使用和装置光缆
● 优良的抗微弯性能
● 用于紧套光缆性能优越
● 在多种情况条件下坚持性能稳定
规格参数
|
特性 |
条件 |
数据 |
单位 |
|---|---|---|---|
|
几何特性 |
|||
|
芯直径 |
-- |
50±2.5 |
[μm] |
|
芯不圆度 |
-- |
≤5.0 |
[%] |
|
包层直径 |
-- |
125.0±1.0 |
[μm] |
|
包层不圆度 |
-- |
≤0.6 |
[%] |
|
涂层直径 |
-- |
245±7 |
[μm] |
|
涂层/包层同心度 |
-- |
≤10.0 |
[μm] |
|
涂层不圆度 |
-- |
≤6.0 |
[%] |
|
芯层/包层同心度 |
-- |
≤1.0 |
[μm] |
|
光纤长度 |
-- |
最长到8.8 |
[km/盘] |
|
光学特性 |
|||
|
衰减 |
850nm |
≤2.4 |
[dB/km] |
|
1300nm |
≤0.6 |
[dB/km] |
|
|
-- |
-- |
OM2+/ OM3/OM4弯曲不敏感 |
-- |
|
满注入带宽 |
850nm |
≥700/≥1500/≥3500 |
[MHz·km] |
|
1300nm |
≥500/≥500/≥500 |
[MHz·km] |
|
|
有效模式带宽 |
850nm |
≥950/≥2000/≥4700 |
[MHz·km] |
|
链路长度 |
-- |
-- |
-- |
|
40GBASE-SR4 / 100GBASE-SR101 |
850nm |
-/140/170 |
[m] |
|
10GBASE-SR |
850nm |
150/300/550 |
[m] |
|
1000BASE-SR |
850nm |
750/1000/1100 |
[m] |
|
差分模时延DMD |
满足或优于IEC 60793-2-10规范 |
-- |
-- |
|
数值孔径 |
-- |
0.200±0.015 |
-- |
|
群折射率 |
850nm |
1.482 |
-- |
|
1300nm |
1.477 |
-- |
|
|
零色散波长 |
-- |
1295-1340 |
[nm] |
|
零色散斜率 |
1295nm≤λ0≤1310nm |
≤0.105 |
[ps/(nm2·km)] |
|
1310nm≤λ0≤1340nm |
≤0.000375(1590-λ0) |
[ps/(nm2·km)] |
|
|
宏弯损耗2 |
-- |
-- |
-- |
|
2圈 ，半径15mm |
850nm |
≤0.1 |
[dB] |
|
1300nm |
≤0.3 |
[dB] |
|
|
2圈 ，半径7.5mm |
850nm |
≤0.2 |
[dB] |
|
1300nm |
≤0.5 |
[dB] |
|
|
背向散射特性1300nm |
|||
|
台阶（双向丈量的平均值） |
-- |
≤0.10 |
[dB] |
|
长度偏向的不纪律性和点不连续性 |
-- |
≤0.10 |
[dB] |
|
衰减不均匀性 |
-- |
≤0.08 |
[dB/km] |
|
情况特性 850nm和1300nm |
|||
|
温度附加衰减 |
-60℃ 到85℃ |
≤0.10 |
[dB/km] |
|
温度-湿度循环附加衰减 |
-10℃ 到85℃ ，4%到98% 相对湿度 |
≤0.10 |
[dB/km] |
|
浸水附加衰减 |
23℃, 30 天 |
≤0.10 |
[dB/km] |
|
干热附加衰减 |
85℃ ，30天 |
≤0.10 |
[dB/km] |
|
湿热附加衰减 |
85℃和85%相对湿度 ，30天 |
≤0.10 |
[dB/km] |
|
机械特性 |
|||
|
筛选张力 |
-- |
≥9.0 |
[N] |
|
-- |
≥1.0 |
[%] |
|
|
-- |
≥100 |
[kpsi] |
|
|
涂层剥离力 |
典范平均剥离力 |
1.5 |
[N] |
|
峰值力 |
≥1.3 ，≤8.9 |
[N] |
|
|
动态疲劳参数（nd, 典范值） |
-- |
20 |
-- |
备注： 1、光缆在850 nm的最大衰减为3.0 dB/km、熔接/连接器的最大总损耗为1.0 dB以及VCSEL的最大均方根谱宽≤ 0.45 nm情况下的支持距离。
2、宏弯损耗测试的注入条件需满足IEC 61280-4-1标准。
Important Notice
Performance figures, data and any illustrative material provided in this data sheet are typical and must be specifically confirmed in writing by F-tone Networks before they become applicable to any particular order or contract. In accordance with the F-tone Networks policy of continuous improvement specifications may change without notice.
The publication of information in this data sheet does not imply freedom from patent or other protective rights of F-tone Networks or others. Further details are available from any F-tone Networks sales representative.
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